GIS局部放電的研究

1.2 局部放電產(chǎn)生的原因

GIS中有可能出現(xiàn)的主要絕緣缺陷如圖所示，可以總結(jié)為以下幾個方面。

（1）固定缺陷：不僅包括了位于外殼表面和導(dǎo)體之上的金屬突起，還包括了在固體絕緣的一些微粒，對前者來說，它主要是在制作過程、安裝過程中產(chǎn)生，由于制造不良或擦劃導(dǎo)致的較為尖銳的毛刺。如果工頻狀態(tài)是較為穩(wěn)定的，那么這些缺陷不會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，不過，如果是諸如快速暫態(tài)過電壓和沖擊等快速電壓的情況，那么極有可能會發(fā)生擊穿現(xiàn)象；

（2）位于GIS腔體內(nèi)，并且能夠進(jìn)行自由移動的金屬微粒，GIS在制造和裝配以及運行過程中都會產(chǎn)生一定的金屬微粒，這是非常常見的，這些微粒能夠?qū)﹄姾蛇M(jìn)行一定的積累。如果所處的電壓場是交流的，那么這些微粒就能夠產(chǎn)生移動，不過無論是移動過程，還是放電過程，都是隨機發(fā)生的。這些微粒zui可能發(fā)生放電的情況就是在它們十分靠近高壓導(dǎo)體，不過并沒有發(fā)生接觸，和導(dǎo)體上固定的微粒相比，這種放電的可能性要高出至少10倍；

（3）傳導(dǎo)部分出現(xiàn)了不良的接觸，諸如浮動部件，或者是靜電屏蔽等問題，對于那些浮動或者松動的部件來說，它們極有可能會發(fā)生放電現(xiàn)象，其檢測起來相對比較容易，并且會出現(xiàn)反復(fù)的放電；

（4）在生產(chǎn)和制造過程中，絕緣子出現(xiàn)了內(nèi)部空隙或者表面的痕跡，后者是由于實驗閃絡(luò)所導(dǎo)致的，也包括了電極表面所存在的粗糙，以及嵌入的一些金屬微粒，不僅如此，由于對金屬電極和環(huán)氧樹脂具有不同的收縮系數(shù)，所以也會產(chǎn)生一定的空隙和氣泡。

以上所說的GIS的絕緣體所存在的缺陷，極有可能會發(fā)生局部放電，如果發(fā)生了這種局部放電，那么絕緣材料會被腐蝕，甚至?xí)兂呻姌渲Γ瑉ui終會使整個絕緣體被擊穿。